濟(jì)南熒光分析X射線管商品批發(fā)價(jià)格
發(fā)布時(shí)間：2024-09-06 02:15:10
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在測量不規(guī)則的樣品時(shí)，雖然從X射線熒光分析方法上可以對測量進(jìn)行技術(shù)上的校正，從而滿足實(shí)際測量的需要；但這樣做所付出的代價(jià)是犧牲測量精度和測量數(shù)據(jù)的可靠性。X射線熒光實(shí)際上又是一個(gè)表面分析方法，激發(fā)只發(fā)生在試樣的淺表面，須注意分析面相對于整個(gè)樣品是否有代表性。此外，樣品的平均粒度和粒度分布是否有變化，樣品中是否存在不均勻的多孔狀態(tài)等。樣品制備過程由于經(jīng)過多步驟操作，還須防止樣品的損失和沾污。
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X射線衍射儀技術(shù)，通過對材料進(jìn)行X射線衍射，分析其衍射圖譜，獲得材料的成分、材料內(nèi)部原子或分子的結(jié)構(gòu)或形態(tài)等信息的研究手段。X射線衍射分析法是研究物質(zhì)的物相和晶體結(jié)構(gòu)的主要方法。當(dāng)某物質(zhì)(晶體或非晶體)進(jìn)行衍射分析時(shí),該物質(zhì)被X射線照射產(chǎn)生不同程度的衍射現(xiàn)象,物質(zhì)組成、晶型、分子內(nèi)成鍵方式、分子的構(gòu)型、構(gòu)象等決定該物質(zhì)產(chǎn)生的衍射圖譜。X射線衍射方法具有不損傷樣品、快捷、測量精度高、能得到有關(guān)晶體完整性的大量信息等優(yōu)點(diǎn)。因此,X射線衍射分析法作為材料結(jié)構(gòu)和成分分析的一種現(xiàn)代科學(xué)方法,已逐步在各學(xué)科研究和生產(chǎn)中廣泛應(yīng)用。
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樣品進(jìn)給器，是樣品進(jìn)入真空系統(tǒng)的一個(gè)過渡。因?yàn)闊晒釾射線在空氣中會(huì)被衰減，所以樣品分析需要在真空環(huán)境下進(jìn)行。這樣，試樣就需要從大氣狀態(tài)進(jìn)入真空環(huán)境。X射線管的實(shí)質(zhì)是個(gè)真空二極管，其陰極是鎢絲，陽極為金屬片。在陰極兩端加上電流之后，鎢絲發(fā)熱，產(chǎn)生熱輻射電子。這些電子在高壓電場作用下被加速，轟擊陽極（又稱靶），產(chǎn)生X射線（此過程產(chǎn)生大量熱量，為了保護(hù)靶材，須確保循環(huán)水系統(tǒng)工作正常）。
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定向X射線機(jī)其射線管窗口朝向地面，射線管是否位于水平位置不易測量，即使調(diào)整成水平狀態(tài)在射線管升降過程中，其是否保持水平位置也未知，直接影響到中心射線束位置，有效透照區(qū)位置，對于射線管需旋轉(zhuǎn)一定角度的透照，更是無法確認(rèn)旋轉(zhuǎn)后的準(zhǔn)確角度，不利于得到滿意的射線底片。針對這一情況，制作了控制射線管水平位置和旋轉(zhuǎn)角度的簡易工具。
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譜線有Ka、Kb、Lb、La和Ma.可供選擇，通常原子序數(shù)小于42的元素用K系線，大于42的元素用L系線，有時(shí)亦可選M系線。為了便于獲取待測元素的凈強(qiáng)度，對使用Si-PIN和Si(Li)探測器的譜儀，在解譜時(shí)不僅考慮待測元素，還應(yīng)考慮與待測元素譜相近的基體中其他元素，特別是重元素L和M系線的干擾。對于低分辨率譜儀如使用封閉式正比計(jì)數(shù)管的譜儀，通常測定純元素譜，并以譜的半高寬左右兩側(cè)的能量作為感興趣區(qū)的起點(diǎn)和終點(diǎn)。
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暗電流是指在有光射在光陽極上時(shí)光電倍增管的輸出電流。暗電流的產(chǎn)生是由光陰極表面的熱電子發(fā)射及電極之間的所加電壓而產(chǎn)生的漏電流。因此，降低溫度及降壓都能降低暗電流。光電倍增管的暗電流越小，質(zhì)量越好。