佛山熒光分析X射線管聯(lián)系電話地址
發(fā)布時(shí)間：2024-12-03 02:03:43
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譜線有Ka、Kb、Lb、La和Ma.可供選擇，通常原子序數(shù)小于42的元素用K系線，大于42的元素用L系線，有時(shí)亦可選M系線。為了便于獲取待測(cè)元素的凈強(qiáng)度，對(duì)使用Si-PIN和Si(Li)探測(cè)器的譜儀，在解譜時(shí)不僅考慮待測(cè)元素，還應(yīng)考慮與待測(cè)元素譜相近的基體中其他元素，特別是重元素L和M系線的干擾。對(duì)于低分辨率譜儀如使用封閉式正比計(jì)數(shù)管的譜儀，通常測(cè)定純?cè)刈V，并以譜的半高寬左右兩側(cè)的能量作為感興趣區(qū)的起點(diǎn)和終點(diǎn)。
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三維X射線掃描是以非破壞性X射線透視技術(shù)（簡(jiǎn)稱CT），將待測(cè)物體做360°自轉(zhuǎn)，通過(guò)單一軸面的結(jié)構(gòu)分析X射線管射線穿透被測(cè)物體，根據(jù)被測(cè)物體各部分對(duì)射線的吸收與透射率不同，收集每個(gè)角度的穿透圖像，之后利用電腦運(yùn)算重構(gòu)出待測(cè)物體的實(shí)體圖像。CT是采用計(jì)算機(jī)斷層掃描技術(shù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)（NDT）和無(wú)損評(píng)價(jià)（NDE）的手段，利用斷層成像技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品無(wú)損可視化測(cè)量、組裝瑕疵或材料分析。CT掃描取代傳統(tǒng)的破壞性監(jiān)測(cè)和分析，任何方向上的非破壞性切片和成像，不受周圍細(xì)節(jié)特征的遮擋，可直接獲得目標(biāo)特征的空間位置、形狀及尺寸信息。
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當(dāng)材料由多種結(jié)晶成分組成，需區(qū)分各成分所占比例，可使用XRD物相鑒定功能，分析各結(jié)晶相的比例。很多材料的性能由結(jié)晶程度決定，可使用結(jié)構(gòu)分析X射線管XRD結(jié)晶度分析，確定材料的結(jié)晶程度。新材料開(kāi)發(fā)需要充分了解材料的晶格參數(shù)，使用XRD可快捷測(cè)試出點(diǎn)陣參數(shù)，為新材料開(kāi)發(fā)應(yīng)用提供性能驗(yàn)證指標(biāo)。產(chǎn)品在使用過(guò)程中出現(xiàn)斷裂、變形等失效現(xiàn)象，可能涉及微觀應(yīng)力方面影響，使用XRD可以快捷測(cè)定微觀應(yīng)力。納米材料由于顆粒細(xì)小,極易形成團(tuán)粒,采用通常的粒度分析儀往往會(huì)給出錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。采用X射線衍射線線寬法(謝樂(lè)法)可以測(cè)定納米粒子的平均粒徑。
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X射線熒光光譜校正曲線法要求標(biāo)準(zhǔn)樣和樣品的物理化學(xué)形態(tài)、分析元素的濃度范圍盡可能一致。在許多情況下，分折線強(qiáng)度并不隨著其濃度的增加而增加，需對(duì)基體進(jìn)行校正后，方能繪制工作曲線。早期X射線熒光光譜定量分析主要使用校正曲線方法獲得定量分析結(jié)果，以作圖法制定校正曲線。通常以濃度C,為橫坐標(biāo)，I為縱坐標(biāo)?，F(xiàn)在則通過(guò)計(jì)算機(jī)用二乘法進(jìn)行計(jì)算，X射線熒光光譜曲線上各數(shù)據(jù)點(diǎn)與曲線上相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)偏差的平方和。